Design of an Ultra-Wideband Low-Noise Amplifier for Spin Wave Readout Circuitry in 65 nm CMOS Technology

Meier C; Egel E; Csaba György; Breitkreutz-von Gamm S: Design of an Ultra-Wideband Low-Noise Amplifier for Spin Wave Readout Circuitry in 65 nm CMOS Technology.
2016 16TH MEDITERRANEAN MICROWAVE SYMPOSIUM (MMS), 16. ISSN 2157-9822 (2016)

[thumbnail of Design_of_an_ultra-wideband_low-noise_amplifier_for_spin_wave_readout_circuitry_in_65_nm_CMOS_technology.pdf] Szöveg
Design_of_an_ultra-wideband_low-noise_amplifier_for_spin_wave_readout_circuitry_in_65_nm_CMOS_technology.pdf - Megjelent verzió
Csak az archívum karbantartója

Download (317kB) | Másolat kérése
Mű típusa: Folyóiratcikk
Szerző azonosítók:
NévORCIDMTMT szerző azonosító
Meier C
Egel E
Csaba György10057150
Breitkreutz-von Gamm S
Absztrakt (kivonat): We introduce a new approach to measure spin waves on-chip and describe the design of an ultra-wideband Low-Noise Amplifier (LNA) implemented in a readout circuitry for characterization of the spin wave devices. The LNA shows a gain of 22.6 dB in the frequency range between 9.7 GHz and 43.3 GHz. The minimum Noise Figure (NF) is 5.3 dB at 22.75 GHz. Simulations were performed with 65nm CMOS technology node in Cadence Virtuoso. Estimated power consumption and chip area are 41.62mW and 0.172mm(2), respectively.
Folyóirat/kiadvány címe: 2016 16TH MEDITERRANEAN MICROWAVE SYMPOSIUM (MMS)
Évszám: 2016
Kötet: 16
ISSN: 2157-9822
Intézmény: Pázmány Péter Katolikus Egyetem
Kar: Információs Technológiai és Bionikai Kar (2013.07.-)
Nyelv: angol
MTMT rekordazonosító: 3194618
Dátum: 2024. Nov. 28. 15:57
Utolsó módosítás: 2024. Nov. 28. 15:57
URI: https://publikacio.ppke.hu/id/eprint/1826

Actions (login required)

Tétel nézet Tétel nézet